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SGT MOS RUH4040M2

Trench MOS RU6888R

关于我们

      

       深(shen)圳锐骏(jun)半导体(ti)股份有(you)限公司(si)(Ruichips)是(shi)一家(jia)专(zhuan)注从(cong)事功率半导体(ti)研(yan)(yan)发、生产、销售(shou)的(de)国家(jia)高新(xin)(xin)(xin)技(ji)术企业,公司(si)位(wei)于深圳市(shi)南(nan)山科技(ji)园(yuan)(yuan)长园(yuan)(yuan)新(xin)(xin)(xin)材料(liao)港园(yuan)(yuan)区内,现有(you)员(yuan)工80余人(ren),其中研(yan)(yan)发和技(ji)术支(zhi)持相关人(ren)员(yuan)占(zhan)45%;公司(si)成(cheng)立(li)近十(shi)年(nian)来,迅速成(cheng)长壮大,年(nian)销售(shou)额突破数(shu)亿人(ren)民币,在适(shi)配器快充、移动快充、车充、电机控(kong)制、新(xin)(xin)(xin)能源(yuan)、逆(ni)变(bian)、锂电保护(hu)等应用领(ling)域均(jun)占(zhan)有(you)领(ling)先地(di)位(wei),深圳锐(rui)骏(jun)半导体(ti)致力于新(xin)(xin)(xin)产品研(yan)(yan)发,持续(xu)更新(xin)(xin)(xin)/优(you)化(hua)新(xin)(xin)(xin)工艺、新(xin)(xin)(xin)技(ji)术,现有(you)Trench MOSFET/SGT MOSFET/Super Junction MOSFET三(san)大类产品线、数(shu)百(bai)种(zhong)型号,累计(ji)获得(de)国家(jia)发明专(zhuan)利18项,尤其是(shi)锐(rui)骏(jun)独创的(de)TO- 220内绝缘封装技(ji)术,彻底(di)解决了终(zhong)端客户在散热和装配上(shang)的(de)技(ji)术难点。

       深圳(zhen)锐(rui)骏(jun)半导(dao)体在不断加大研发投入(ru)的(de)同时,坚持(chi)不断优化销售(shou)网(wang)络和拓展(zhan)销售(shou)渠道,改变公司(si)直销终(zhong)端客(ke)户为寻求和代理商的(de)合作(zuo),发挥原(yuan)厂(chang)技术优势和代理商渠道优势,快(kuai)速推出新产品,快(kuai)速占领市场。

       深圳锐(rui)骏半导体:锐(rui)意(yi)进(jin)取(qu),骏马腾飞,中国功率器件领先品(pin)牌。

 

       发展历程(cheng):

      2009年,公司(si)成(cheng)立(li),产(chan)品成(cheng)功(gong)导(dao)入量(liang)产(chan),推向市场。

       2010年,完善(shan)MOSFET产品线,取得多项创新专利。

       2011年,被评为2011年中(zhong)国IC设计十大企业

                      获得2011年中国IC设计公司成就奖

                      在电动车应用领域取得显著成果,市场(chang)占(zhan)有率大(da)幅提高,得到行业(ye)客户认可(ke)

                      获得ISO9001认证(zheng)和ROHS环(huan)保认证(zheng)。

      2012年,成(cheng)为中(zhong)国(guo)电(dian)源学会(hui)、半导体协会(hui)理事成(cheng)员成为(wei)国(guo)家高新技(ji)术(shu)企(qi)业(ye)

      2013年,成立(li)半导体研发学院和实验室。

      2014年,中(zhong)国(guo)第一代内绝缘(yuan)MOS产品研发成功。

      2015年,LED驱(qu)动芯片研发(fa)成功,中(zhong)国电子网专题报道(dao)被评(ping)为中国半导体功率器件领军企业(ye)。

      2016年(nian),改制为股份有限公司,成立锐骏产品学院(yuan)。

      2017年,在井冈山确立公司发展的基(ji)本(ben)路线和基(ji)本(ben)方针。

       2018年,公司(si)实现(xian)流程(cheng)化和系(xi)统(tong)化管(guan)理改造,荣获为2018 IC设计成就奖。

       2019年(nian),国(guo)内(nei)率先实(shi)现MOSFET 12寸晶圆工(gong)艺量产,调补国(guo)内(nei)空白。

       2020年,公司完(wan)成第五代SGT技术(shu)平台开发(fa)并投入(ru)量产(chan)(chan);投资建设自主封(feng)装产(chan)(chan)线。

 

 

 

 

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